【未分类_IPB200N15N3G】封装/厂家_IPB200N15N3G中文资料_价格

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型号： IPB200N15N3G
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB200N15N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB200N15N3G价格参考。InfineonIPB200N15N3G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPB200N15N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB200N15N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPB200N15N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-3（D²PAK）封装，具有150V耐压、200A连续漏极电流（Tc=25°C）、极低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.4 mΩ）及优化的开关特性。

其主要应用场景包括：  
🔹 汽车电子：广泛用于12V/24V车载系统中的高电流负载开关，如电动座椅、车窗升降、雨刷电机驱动、LED大灯调光与电源管理模块；符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，支持严苛温度（-55°C ~ 175°C）与振动环境。  
🔹 工业电源与电机控制：适用于DC-DC变换器（如通信基站电源）、伺服驱动器、BLDC电机控制器的高边/低边开关，凭借低RDS(on)和快速开关能力提升效率并减少散热需求。  
🔹 服务器与电信设备：用于热插拔保护电路、OR-ing二极管替代方案（背靠背配置）、POL（Point-of-Load）稳压模块中的同步整流开关，实现高功率密度与高能效。  

该器件集成优化的体二极管，具备强抗雪崩能力（UIS额定），支持可靠短路保护设计；配合英飞凌驱动IC（如1ED系列），可进一步降低开关损耗与EMI。综上，IPB200N15N3G是面向高可靠性、高电流、中压应用的优选功率开关器件。

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