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产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB160N04S2L-03_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IPB160N04S2L-03 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 230nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.7毫欧 @ 80A,10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7 |
| 其它名称 | IPB160N04S2L03ATMA1 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 160A (Tc) |