【未分类_IPB108N15N3G】封装/厂家_IPB108N15N3G中文资料_价格

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型号： IPB108N15N3G
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB108N15N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB108N15N3G价格参考。InfineonIPB108N15N3G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPB108N15N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB108N15N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPB108N15N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能增强型N沟道功率MOSFET，采用PG-TO263-3封装（D²PAK），具有150V耐压、108A连续漏极电流（Tc=25°C）、极低导通电阻（RDS(on)典型值仅7.5mΩ @ VGS=10V）及优化的开关特性。

该器件主要面向高效率、高功率密度的中高压电源应用，典型应用场景包括：  
✅ 车载充电机（OBC）与DC-DC转换器：适用于400V/800V平台中的升压、降压及隔离式拓扑（如LLC、相移全桥），凭借低导通损耗和快速开关能力提升系统效率与热性能；  
✅ 工业电机驱动与伺服系统：用于变频器逆变级，支持高频PWM控制，兼顾动态响应与温升稳定性；  
✅ 服务器/通信电源（PSU）：作为同步整流管或主开关管，应用于AC-DC前端PFC电路或DC-DC二次侧，满足80 PLUS Titanium等高能效标准；  
✅ 太阳能逆变器：适用于组串式逆变器的MPPT升压级与H6逆变桥，具备强雪崩耐量（UIS额定）与抗dv/dt干扰能力，保障系统可靠性。

其集成的OptiMOS™ 3技术、无铅且符合RoHS标准，并通过AEC-Q101车规认证（部分批次），亦可拓展至严苛工业环境。设计时建议配合低感PCB布局、优化栅极驱动（推荐驱动电压10–15V，避免过冲）及合理散热设计（推荐使用大面积铜箔或散热器）。

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