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- 型号： IPB100N06S3-04
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IPB100N06S3-04产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB100N06S3-04由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPB100N06S3-04价格参考以及InfineonIPB100N06S3-04封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPB100N06S3-04参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IPB100N06S3-04详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB100N06S3-04 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TO263-3（D²PAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 4.0 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 100 A）和60 V耐压，适用于高效率、高功率密度的开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载DC-DC转换器（如12 V/48 V双向升降压系统）、电动助力转向（EPS）电机驱动、车身控制模块（BCM）中的负载开关；符合AEC-Q101车规认证，具备高可靠性与抗扰能力。 ✅ 工业电源与电机驱动：服务器/通信电源的同步整流、工业变频器的逆变输出级、小型BLDC电机驱动（如风机、泵类）；其低RDS(on)和优异的SOA（安全工作区）支持高频硬开关与短路鲁棒性。 ✅ 消费类与能源设备：大功率快充适配器（GaN+Si混合方案中作同步整流或主开关）、储能系统（ESS）的电池保护与充放电管理、UPS逆变模块。 该器件集成优化的体二极管，具备快速恢复特性，可降低开关损耗与EMI；支持表面贴装与回流焊工艺，便于自动化生产。需配合合理PCB布局（低感源极走线）、栅极驱动（推荐±12 V驱动电压及适当RG）及散热设计（建议使用大面积铜箔或散热片）以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 100A TO-263 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B_I100N06S3-04_DS_1_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a304316f112290116f2d3589f72a9 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IPB100N06S3-04 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 314nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.1 毫欧 @ 80A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB100N06S3-04INDKR |
| 功率-最大值 | 214W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
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