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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPB052N04NG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB052N04NG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB052N04NG价格参考。InfineonIPB052N04NG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB052N04NG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB052N04NG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB052N04NG 是英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TDSON-8（即小型表面贴装封装），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 5.2 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 80 A，TC = 25°C）及优化的开关特性。其典型应用场景包括： 1. 汽车电子系统：广泛用于48V轻混动力（MHEV）车载电源管理，如DC-DC变换器、电动助力转向（EPS）、启停系统（Start-Stop）中的高边/低边开关，满足AEC-Q101车规认证，具备高可靠性与抗干扰能力。 2. 工业电源与电机驱动：适用于伺服驱动器、BLDC电机控制器中的功率级开关，支持高频PWM调制，降低开关损耗；亦用于通信电源、服务器PSU等高效率AC-DC或DC-DC模块。 3. 消费类与计算设备：在高性能笔记本电脑/游戏本的CPU/GPU供电（VRM）中作同步整流开关，提升能效并减小温升。 该器件集成优化体二极管，具备良好的反向恢复特性，适合硬开关与部分软开关拓扑；其低Qg和Qoss利于高频应用。需配合合理PCB布局（低感回路）、栅极驱动（推荐±6V至+12V驱动电压）及散热设计（建议使用大面积铜箔或散热焊盘）以发挥最佳性能。
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