ICGOO在线商城 > IPB04N03LA
Datasheet下载- 型号： IPB04N03LA
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IPB04N03LA产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB04N03LA由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPB04N03LA价格参考以及InfineonIPB04N03LA封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPB04N03LA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IPB04N03LA详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB04N03LA 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 4.0 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 120 A）及优良的开关性能。其典型应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于车载DC-DC转换器、电机驱动（如电子助力转向EPS、冷却风扇、水泵控制）、车身控制模块（BCM）及LED车灯驱动，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准； - 工业电源与电机控制：适用于开关电源（SMPS）、服务器/通信电源的同步整流、工业变频器、BLDC电机驱动等高效率、高功率密度场合； - 可再生能源系统：在光伏逆变器、储能系统（ESS）的DC侧开关与电池管理中承担高频通断与能量调控功能； - 消费类高功率设备：如大功率电动工具、无人机电调（ESC）、高端家电（变频空调压缩机驱动）等对热性能与动态响应要求严苛的应用。 该器件集成优化的体二极管，具备良好的反向恢复特性，有助于降低开关损耗与EMI；同时支持10 V标准栅极驱动，兼容主流控制器。其高可靠性和宽温度范围（–55 °C 至 +175 °C）使其特别适合严苛环境下的高负载连续运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB04N03LA_Rev1.7_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429cf9b4200 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB04N03LA |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 60µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3877pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.9 毫欧 @ 55A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB04N03LAINCT |
| 功率-最大值 | 107W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
