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- 型号： IPB023N04NG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB023N04NG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB023N04NG价格参考。InfineonIPB023N04NG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB023N04NG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB023N04NG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPB023N04NG 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用PG-TDSON-8封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.3 mΩ @ VGS=10V）、高电流能力（ID达120 A）及优化的开关特性。其主要应用场景包括： 1. 汽车电子：广泛用于48V车载电源系统（如轻混动车辆BSG/ISG电机驱动、DC-DC转换器）、电动助力转向（EPS）、车身控制模块（BCM）中的高效率开关和负载切换；符合AEC-Q101车规认证，具备高可靠性与抗干扰能力。 2. 工业电源与电机驱动：适用于伺服驱动器、变频器、UPS逆变模块及工业级DC-DC模块，承担高频、大电流开关任务，提升能效并减小散热设计压力。 3. 服务器与通信电源：在高密度POL（Point-of-Load）转换器、CPU/GPU供电VRM中用作同步整流开关，凭借低RDS(on)和优异的FOM（品质因数），显著降低导通损耗与温升。 4. 可再生能源设备：如光伏逆变器的辅助电源或电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。 该器件支持10V逻辑电平驱动，具备强雪崩耐量与过温保护兼容性，适用于高可靠性、高功率密度要求的严苛环境。
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