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- 型号： IPA180N10N3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPA180N10N3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA180N10N3G价格参考。InfineonIPA180N10N3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPA180N10N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPA180N10N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPA180N10N3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的双通道N沟道增强型功率MOSFET阵列，采用PG-TDSON-8封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.8 mΩ @ VGS=10V）、高电流能力（ID = 180 A）及优化的开关性能。其典型应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于48V轻混动力系统（MHEV）中的DC-DC转换器、电动助力转向（EPS）、车载充电机（OBC）预驱与同步整流；符合AEC-Q101认证，具备高可靠性与抗瞬态能力。 - 工业电源与电机驱动：适用于伺服驱动器、BLDC电机控制中的半桥/全桥功率级，双MOSFET结构便于构建紧凑型H桥或并联输出以提升电流容量。 - 服务器与通信电源：在高密度POL（Point-of-Load）转换器、VRM模块中用作高效同步整流管，降低传导损耗，提升能效（满足80 PLUS Titanium要求）。 - 电池管理系统（BMS）：用于主动均衡电路或高压电池包的充放电主开关，支持快速响应与低热耗散。 该器件集成ESD保护与优化的栅极电荷（Qg≈120 nC），兼顾高速开关与驱动易用性，适合高频（数十kHz至数百kHz）硬开关应用。需配合合适的PCB布局、散热设计及驱动电路（如1EDN/1EDS系列隔离驱动器）以发挥最佳性能。
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