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  • 型号: IPA057N08N3G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPA057N08N3G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA057N08N3G价格参考。InfineonIPA057N08N3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPA057N08N3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPA057N08N3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IPA057N08N3G 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET,采用OptiMOS™ 3技术,封装为PG-TO263-3(D²PAK),具有低导通电阻(RDS(on)典型值仅5.7 mΩ @ VGS=10V)、高电流能力(ID达120 A)及优异的开关性能。

该器件主要应用于中高功率、高效率的直流电源转换场景,典型应用包括:  
✅ 服务器与通信电源:用于同步整流、DC-DC降压转换器(如POL模块、VRM/VRD),提升能效并降低温升;  
✅ 工业电机驱动:在BLDC电机控制器中作为逆变桥臂开关,支持高频PWM驱动与快速关断;  
✅ 新能源系统:适用于光伏逆变器辅助电源、储能系统中的电池管理单元(BMS)充放电开关;  
✅ 车载电子:满足AEC-Q101认证(注:IPA057N08N3G为标准工业级,非车规;若需车规应选同系列IPAxxNxxN3 Gx型号),但常用于车载DC-DC变换器、LED车灯驱动等对可靠性要求较高的工业级车载设备;  
✅ 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管,适用于AC-DC适配器、ATX电源等。

其低RDS(on)和优化的体二极管特性可显著降低导通与开关损耗,配合TO263封装提供良好散热能力,适合紧凑型高功率密度设计。使用时建议搭配合适的栅极驱动与PCB热设计以发挥最佳性能。
产品参数 图文手册 常见问题
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