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Datasheet下载- 型号： IKW20N60H3
- 制造商： Infineon
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IKW20N60H3产品简介：
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IKW20N60H3 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、20A高速IGBT单管，内置优化的反并联快恢复二极管（FRD），采用TO-247封装。其典型应用场景包括： 1. 工业变频器与伺服驱动器：适用于中小功率（约1–3 kW）电机控制，凭借低导通损耗（VCE(sat) ≈ 1.6 V @ IC=20A）和快速开关特性（t_f ≈ 35 ns），提升能效与动态响应。 2. 感应加热设备：如电磁炉、工业热处理电源，得益于高开关频率（可达40–80 kHz）及良好的短路耐受能力（t_sc = 2 μs），支持谐振软开关设计。 3. 不间断电源（UPS）与光伏逆变器：在单相或小三相逆变拓扑中用作主开关器件，兼顾效率与可靠性；内置FRD可简化电路设计，减少外部续流二极管需求。 4. 高频开关电源（SMPS）与PFC电路：适用于图腾柱PFC或硬开关DC-DC变换器，尤其适合对EMI和温升有要求的中功率应用。 该器件具备“C3”代沟槽栅场截止结构，具有低E_on/E_off、良好SOA（安全工作区）及温度稳定性，适配标准CMOS/TTL驱动电平（推荐VGE = +15 V / −8 V）。需注意合理设计驱动电阻、PCB布局及散热（建议搭配≥40 cm²铝基板或散热器），以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 17ns/194ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 80A |
| 描述 | IGBT 600V 40A 170W TO247-3IGBT 晶体管 600V 20A 170W |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 120nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IKW20N60H3TrenchStop® |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IKW20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126b8cf069f1f0a |
| 产品型号 | IKW20N60H3 |
| PCN设计/规格 | |
| SwitchingEnergy | 800µJ |
| TestCondition | 400V, 20A, 14.6 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V，20A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | IKW20N60H3FKSA1 |
| 功率-最大值 | 170W |
| 功率耗散 | 170 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 112ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 在25C的连续集电极电流 | 20 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 240 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 240 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40A |
| 系列 | IKW20N60 |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.95 V |
| 零件号别名 | IKW20N60H3FKSA1 SP000702556 |
