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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IGW50N60H3由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IGW50N60H3价格参考。InfineonIGW50N60H3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IGW50N60H3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IGW50N60H3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IGW50N60H3 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的600V、50A高速IGBT单管,采用TO-247封装,集成续流二极管(H3系列),具备低导通损耗(VCE(sat) ≈ 1.5V @ IC=50A)、快速开关(典型td(on)/td(off) < 100ns)及优化的EMI特性。其典型应用场景包括: 1. 工业变频器与伺服驱动:用于电机控制主回路,支持高频PWM调制(可达20–30 kHz),兼顾效率与动态响应; 2. 感应加热设备:在谐振逆变拓扑(如串联/并联LLC)中作为功率开关,利用其高dv/dt耐受能力与软关断特性提升系统可靠性; 3. 不间断电源(UPS)与光伏逆变器:适用于DC-AC升压/逆变级,在中功率段(3–10 kW)实现高效率能量转换; 4. 电磁炉与高频焊机:满足高频率、高电流脉冲工作需求,配合优化栅极驱动可降低开关损耗; 5. 电动工具与车载充电机(OBC)辅助电源:在紧凑型设计中提供稳定、高鲁棒性的功率开关解决方案。 该器件强调“硬开关”应用下的综合性能平衡,不推荐用于极高频率(>100 kHz)场景(此时建议选用SiC MOSFET)。实际使用需配合合适的栅极驱动(如15–18V驱动电压、足够峰值电流)、RC缓冲电路及热管理设计以确保长期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 23ns/235ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 200A |
| 描述 | IGBT 600V 100A 333W TO247-3IGBT 晶体管 600V 50A 333W |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 315nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IGW50N60H3TrenchStop® |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af |
| 产品型号 | IGW50N60H3 |
| PCN设计/规格 | |
| SwitchingEnergy | 2.36mJ |
| TestCondition | 400V, 50A, 7 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V,50A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | IGW50N60H3FKSA1 |
| 功率-最大值 | 333W |
| 功率耗散 | 333 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 在25C的连续集电极电流 | 50 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 240 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 240 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100A |
| 系列 | IGW50N60 |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.85 V |
| 零件号别名 | IGW50N60H3FKSA1 SP000702548 |