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  • 型号: IGW50N60H3
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IGW50N60H3由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IGW50N60H3价格参考。InfineonIGW50N60H3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IGW50N60H3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IGW50N60H3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IGW50N60H3 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的600V、50A高速IGBT单管,采用TO-247封装,集成续流二极管(H3系列),具备低导通损耗(VCE(sat) ≈ 1.5V @ IC=50A)、快速开关(典型td(on)/td(off) < 100ns)及优化的EMI特性。其典型应用场景包括:

1. 工业变频器与伺服驱动:用于电机控制主回路,支持高频PWM调制(可达20–30 kHz),兼顾效率与动态响应;  
2. 感应加热设备:在谐振逆变拓扑(如串联/并联LLC)中作为功率开关,利用其高dv/dt耐受能力与软关断特性提升系统可靠性;  
3. 不间断电源(UPS)与光伏逆变器:适用于DC-AC升压/逆变级,在中功率段(3–10 kW)实现高效率能量转换;  
4. 电磁炉与高频焊机:满足高频率、高电流脉冲工作需求,配合优化栅极驱动可降低开关损耗;  
5. 电动工具与车载充电机(OBC)辅助电源:在紧凑型设计中提供稳定、高鲁棒性的功率开关解决方案。

该器件强调“硬开关”应用下的综合性能平衡,不推荐用于极高频率(>100 kHz)场景(此时建议选用SiC MOSFET)。实际使用需配合合适的栅极驱动(如15–18V驱动电压、足够峰值电流)、RC缓冲电路及热管理设计以确保长期可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

23ns/235ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

200A

描述

IGBT 600V 100A 333W TO247-3IGBT 晶体管 600V 50A 333W

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

315nC

IGBT类型

沟道和场截止

品牌

Infineon Technologies

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IGW50N60H3TrenchStop®

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IGW50N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc64524041af

产品型号

IGW50N60H3

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

SwitchingEnergy

2.36mJ

TestCondition

400V, 50A, 7 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.3V @ 15V,50A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

PG-TO247-3

其它名称

IGW50N60H3FKSA1
SP000702548

功率-最大值

333W

功率耗散

333 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

Infineon Technologies

在25C的连续集电极电流

50 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247

工厂包装数量

240

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 40 C

栅极/发射极最大电压

20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

240

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100A

系列

IGW50N60

输入类型

标准

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

1.85 V

零件号别名

IGW50N60H3FKSA1 SP000702548

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