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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IGP01N120H2由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IGP01N120H2价格参考。InfineonIGP01N120H2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IGP01N120H2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IGP01N120H2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 13ns/370ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 3.5A |
| 描述 | IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 8.6nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IGP01N120H2- |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IGP_D01N120H2_Rev2_4G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123b8f7495200dd |
| 产品型号 | IGP01N120H2 |
| SwitchingEnergy | 140µJ |
| TestCondition | 800V, 1A, 241 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V,1A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | IGP01N120H2XKSA1 |
| 功率-最大值 | 28W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3.2A |
| 系列 | IGP01N120 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 3.2 A |
| 零件号别名 | IGP01N120H2XKSA1 SP000683036 |