Datasheet下载- 型号： IGB10N60T
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IGB10N60T由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IGB10N60T价格参考。InfineonIGB10N60T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IGB10N60T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IGB10N60T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 12ns/215ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 30A |
| 描述 | IGBT 600V 20A 110W TO263-3IGBT 晶体管 Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 62nC |
| IGBT类型 | NPT、沟道和场截止 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IGB10N60TTrenchStop® |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 |
| 产品型号 | IGB10N60T |
| PCN设计/规格 | |
| SwitchingEnergy | 430µJ |
| TestCondition | 400V, 10A, 23 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.05V @ 15V，10A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3-2 |
| 其它名称 | IGB10N60TCT |
| 功率-最大值 | 110W |
| 功率耗散 | 110 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 在25C的连续集电极电流 | 20 A |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | PG-TO-263-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 系列 | IGB10N60 |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.05 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 10 A |
| 零件号别名 | IGB10N60TATMA1 SP000456678 |
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