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- 型号： IDW12G65C5
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IDW12G65C5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IDW12G65C5由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IDW12G65C5价格参考以及InfineonIDW12G65C5封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IDW12G65C5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IDW12G65C5详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDW12G65C5 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的650V、12A高速硅基SiC肖特基势垒二极管（SBD），采用TO-247封装。其核心优势在于零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）、低正向压降（VF ≈ 1.5V @ 12A）、高开关速度及优异的高温稳定性（可连续工作于175°C）。 主要应用场景包括： 1. 高频开关电源（SMPS）：作为PFC（功率因数校正）电路中的升压二极管，显著降低开关损耗与EMI，提升效率（尤其在>100kHz工况下）； 2. 光伏逆变器与储能系统：用于DC/AC逆变桥臂续流或MPPT升压级，耐高压、耐高温特性适配户外严苛环境； 3. 服务器/通信电源：在高密度、高效率的48V/54V输入整流或LLC谐振变换器次级同步整流替代方案中，提升能效并简化热设计； 4. 工业电机驱动与UPS：在IGBT/SiC MOSFET逆变模块中作反并联续流二极管，抑制关断电压尖峰，增强系统可靠性。 需注意：该器件为单极性肖特基二极管，不可用于传统工频整流（如50/60Hz变压器次级整流），且反向漏电流略高于硅二极管（但随温度升高可控），设计时应确保散热充分并避免长期接近额定电压极限运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3 |
| 产品分类 | 单二极管/整流器 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IDW12G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4699ca7206f |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IDW12G65C5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | thinQ!™ |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.7V @ 12A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 360pF @ 1V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500µA @ 650V |
| 二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | IDW12G65C5FKSA1 |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 0ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 工作温度-结 | -55°C ~ 175°C |
| 标准包装 | 240 |
| 热阻 | 2°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 650V |
| 电流-平均整流(Io) | 12A（DC） |
| 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
