Datasheet下载- 型号： IDT71V424S10YI
- 制造商： Integrated Device Technology
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IDT71V424S10YI由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IDT71V424S10YI价格参考。Integrated Device TechnologyIDT71V424S10YI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IDT71V424S10YI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IDT71V424S10YI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT71V424S10YI 是由 Integrated Device Technology（IDT）公司生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM），具体为高速双端口SRAM，具有高速访问时间和低功耗特性。该芯片常用于对数据访问速度和系统稳定性有较高要求的应用场景。 主要应用场景包括： 1. 通信设备：如路由器、交换机等网络设备中用于高速缓存数据，提升数据转发效率； 2. 工业控制：在工业自动化系统中作为高速缓存或临时数据存储，支持实时数据处理； 3. 测试与测量仪器：用于示波器、逻辑分析仪等设备中，实现高速数据采集与临时存储； 4. 汽车电子：在高级驾驶辅助系统（ADAS）或车载信息处理系统中，支持快速数据响应； 5. 医疗设备：如影像设备、监护仪器中用于高速图像或信号处理； 6. 网络与服务器设备：用作高速缓冲存储器，提高系统响应速度和数据吞吐能力。 该芯片适用于需要高频访问、低延迟和高可靠性的嵌入式系统中，是高性能系统设计中的常用存储解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 数据手册 | http://www.idt.com/document/71v424-data-sheet点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IDT71V424S10YI |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 36-SOJ |
| 其它名称 | 71V424S10YI |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 4M （512K x 8） |
| 封装/外壳 | 36-BSOJ |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 20 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 10ns |
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