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产品简介:
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IDT71016S20Y是IDT(Integrated Device Technology Inc.)公司推出的一款高速静态随机存取存储器(SRAM),属于高性能双端口存储器产品。该芯片主要应用于对数据存取速度和系统稳定性要求较高的场合。 典型应用场景包括通信设备中的数据缓存与缓冲管理,如路由器、交换机和基站系统,用于实现高速数据的临时存储与快速读写;在工业控制领域,常用于PLC(可编程逻辑控制器)、自动化测试设备及实时控制系统中,保障关键数据的即时响应与可靠处理;此外,在高端网络设备、雷达系统、军事电子和医疗成像设备中也有广泛应用,满足复杂环境下对高带宽和低延迟的需求。 IDT71016S20Y采用20ns的访问速度,支持双端口独立操作,允许两个系统或处理器同时访问同一存储阵列而互不干扰,提高了系统的并行处理能力与整体效率。其工作稳定,抗干扰能力强,适用于工业级温度范围,适合严苛环境下的长期运行。 综上,IDT71016S20Y是一款面向高性能嵌入式系统的关键存储器件,广泛服务于通信、工业、军工及医疗等高端技术领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 数据手册 | http://www.idt.com/document/71016-data-sheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IDT71016S20Y |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-SOJ |
| 其它名称 | 71016S20Y |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 1M (64K x 16) |
| 封装/外壳 | 44-BSOJ |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 16 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 20ns |