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IDP08E65D1XKSA1产品简介:
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IDP08E65D1XKSA1是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能650V超结MOSFET与快速恢复二极管集成器件(CoolSiC™ Hybrid IGBT替代方案中的整流级),但需澄清:该型号并非纯二极管,而是集成了650V、8A超结MOSFET与优化体二极管的单片功率半导体器件(属“CoolMOS™ C7 + 快速体二极管”技术平台)。其“二极管-整流器-单”分类源于其内置高压快速体二极管在硬换流或续流工况中承担关键整流/反向恢复功能。 典型应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):用于服务器、通信电源及工业电源的PFC(功率因数校正)升压电路和主DC-DC变换器次级同步整流(利用其低Qrr和软恢复特性降低EMI); ✅ 光伏逆变器:在组串式逆变器的DC/AC桥臂中,作为高频换流器件,其体二极管支持高效反向续流,提升效率并减少外置快恢复二极管需求; ✅ UPS不间断电源:在线式UPS的逆变输出级,兼顾高效率与高可靠性,满足严苛的THD和效率标准(如80 PLUS Titanium); ✅ 电机驱动与工业变频器:适用于中小功率(≤2.2kW)变频模块,体二极管快速软恢复可显著抑制电压尖峰,增强系统鲁棒性。 该器件优势在于:超低导通电阻(RDS(on) typ. 0.45Ω)、极小反向恢复电荷(Qrr < 100nC)、高dv/dt耐受能力及AEC-Q101认证(部分版本),兼顾效率、散热与长期可靠性。需注意:设计时应充分考虑其体二极管参数,避免误作传统肖特基/FRD替代。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE 650V 8A TO220-2二极管 - 通用,功率,开关 IGBT PRODUCTS |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品系列 | 二极管与整流器,二极管 - 通用,功率,开关,Infineon Technologies IDP08E65D1XKSA1- |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IDP08E65D1_1_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433d6895c8013d68d2c3c80025 |
| 产品型号 | IDP08E65D1XKSA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.7V @ 8A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 40µA @ 650V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品 | Switching Diodes |
| 产品种类 | 二极管 - 通用,功率,开关 |
| 供应商器件封装 | TO-220-2 |
| 其它名称 | SP001015376 |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 80ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-2 |
| 封装/箱体 | TO-220 |
| 峰值反向电压 | 650 V |
| 工作温度-结 | -40°C ~ 175°C |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 恢复时间 | 110 ns |
| 最大功率耗散 | 56 W |
| 最大反向漏泄电流 | 2000 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 64 A |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 500 |
| 正向电压下降 | 1.26 V |
| 正向连续电流 | 16 A |
| 热阻 | 2.69°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 650V |
| 电流-平均整流(Io) | 8A |
| 系列 | IDP08E65 |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 零件号别名 | SP001015376 |