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  • 型号: HZS3BLLTD-E
  • 制造商: RENESAS ELECTRONICS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HZS3BLLTD-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HZS3BLLTD-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHZS3BLLTD-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HZS3BLLTD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HZS3BLLTD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HZS3BLLTD-E 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的超低容值、高精度齐纳二极管,主要面向精密电压基准与低噪声稳压应用。其典型反向击穿电压为3.0 V(±1%高精度),动态阻抗低(约15 Ω),结电容极小(仅约0.4 pF @ 0 V),且具有优异的温度稳定性(TC ≈ ±50 ppm/°C)和低噪声特性(<10 µVpp,10 Hz–10 kHz)。

该器件广泛应用于对电压基准精度、噪声和高频响应要求严苛的场景:  
- 高分辨率数据转换系统:如16位及以上ADC/DAC的参考电压源,抑制基准抖动,提升信噪比(SNR);  
- 精密传感器信号调理电路:为压力、温度、电流传感器提供稳定偏置或校准基准;  
- 低功耗便携式设备电源管理:在电池供电的IoT节点、可穿戴设备中,为MCU、RTC或LDO提供微功耗(Iz = 1 mA)、低漂移基准;  
- 射频与高速模拟电路:凭借超低结电容和快速响应,用于RF收发器中的偏置网络、AGC电路或PLL基准去耦;  
- 工业自动化与医疗电子:满足AEC-Q200(车规级)及IEC 61000-4-2 ESD防护(±8 kV接触放电)要求,适用于PLC模块、便携式监护仪等高可靠性场景。

其小型无引线封装(LLP,0.6×0.3 mm)支持高密度PCB布局,配合瑞萨MCU生态(如RA系列),便于构建紧凑、低噪声、高精度的嵌入式模拟前端系统。
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