【未分类_HZS16NB3TD-E】封装/厂家_HZS16NB3TD-E中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： HZS16NB3TD-E
制造商： RNS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HZS16NB3TD-E由RNS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HZS16NB3TD-E价格参考。RNSHZS16NB3TD-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HZS16NB3TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HZS16NB3TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HZS16NB3TD-E 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的单颗齐纳二极管，标称稳压值为16 V（容差±5%），功率额定值为200 mW（SOD-323封装），具有低动态阻抗、良好温度稳定性及AEC-Q200认证（适用于汽车级应用）。其典型应用场景包括：

1. 汽车电子稳压与电压钳位：用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动电路中，为MCU或传感器提供稳定的参考电压，或在瞬态电压（如负载突降、抛负载）时钳位保护后级IC。

2. 工业传感器信号调理：在4–20 mA电流环、温度/压力变送器中，作为精密基准源或过压保护元件，确保模拟前端（AFE）工作电压稳定。

3. 消费类电源管理：在小型适配器、USB PD协议芯片外围电路中，用于反馈环路基准、ESD防护或LDO输出电压微调。

4. 便携式设备保护：在TWS耳机、可穿戴设备等空间受限设计中，利用其小尺寸（SOD-323）实现电池电压监测或I²C/SPI总线端口的静电与过压防护。

该器件具备低漏电流（IR ≤ 100 nA @ 12 V）、快速响应特性，适合对可靠性、尺寸和车规合规性有要求的中低功耗场景。不适用于大电流稳压或高频开关应用。

产品参数图文手册常见问题