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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HZM6.8MFATL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HZM6.8MFATL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHZM6.8MFATL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HZM6.8MFATL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HZM6.8MFATL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HZM6.8MFATL-E 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的表面贴装型TVS(瞬态电压抑制)二极管,标称击穿电压为6.8 V(典型值),具有低钳位电压、快速响应(皮秒级)和高浪涌吸收能力(IEC 61000-4-2 Level 4接触放电±8 kV),采用小型SOD-523封装(1.6 × 0.8 × 0.7 mm)。 其主要应用场景包括: ✅ 高速数字接口ESD防护:如USB 2.0、HDMI、MIPI D-PHY、I²C、SPI等低压信号线,因工作电压低(通常3.3 V或5 V系统),6.8 V的VBR可兼顾可靠关断与足够裕量; ✅ 便携式电子设备:智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中空间受限的I/O端口(按键、传感器接口、SIM卡槽、音频插孔)的静电防护; ✅ 汽车电子子系统:符合AEC-Q200(注:需确认具体批次认证,该型号常用于车规级设计参考),适用于车载信息娱乐(IVI)的LVDS接口、CAN/LIN总线辅助保护(配合主保护器件)、仪表盘按钮及触摸传感器线路; ✅ 工业IoT节点:RS-485/422收发器前端、MCU GPIO引脚、电池管理电路(BMS)中的电压检测路径,防止插拔、感应耦合或人体放电引发的瞬态损坏。 该器件强调低漏电流(<0.1 µA @ 5 V)、小结电容(≈100 pF),适合高频、低功耗场景,但不适用于高压电源线主级防护(需配合更高耐压TVS或GDT)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 3.5VWM MPAK5 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | HZM6.8MFATL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | 130pF @ 1MHz |
| 供应商器件封装 | 5-MPAK |
| 其它名称 | HZM6.8MFATL-EDKR |
| 功率-峰值脉冲 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 4 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74A,SOT-753 |
| 工作温度 | - |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 6.47V |
| 电压-反向关态(典型值) | 3.5V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | - |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |