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  • 型号: HZ3ALLTD-E
  • 制造商: RNS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HZ3ALLTD-E由RNS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HZ3ALLTD-E价格参考。RNSHZ3ALLTD-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HZ3ALLTD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HZ3ALLTD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HZ3ALLTD-E 是罗姆(ROHM)公司推出的超小型、高精度齐纳二极管(Zener Diode),采用EMT3(SOT-416)封装,额定稳压值为3.3 V(典型),容差±5%,最大功耗150 mW。其核心应用场景聚焦于低功耗、小尺寸、高可靠性的电压基准与保护需求:

1. 精密电压参考:为传感器信号调理电路、ADC/DAC参考源、微控制器(MCU)内部LDO提供稳定、低噪声的3.3 V基准电压,尤其适用于电池供电的便携设备(如可穿戴设备、IoT终端)。

2. 过压保护与钳位:在I²C、UART等低速数字接口或模拟输入端,与TVS/限流电阻配合,实现±5%精度的瞬态电压钳位,防止ESD或浪涌损坏后级IC(如MCU GPIO、运放输入)。

3. 电源监控与复位电路:作为简易电源电压检测元件,配合比较器或专用复位芯片,实现3.3 V系统上电/掉电阈值监测,保障系统可靠启动与异常关断。

4. 消费电子与汽车电子辅助电路:广泛用于智能手机周边模块、车载信息娱乐系统(IVI)中的LED驱动偏置、CAN/LIN总线收发器稳压、以及车身控制单元(BCU)中对空间和功耗敏感的子电路。

其优势在于:超小尺寸(1.2×0.8×0.6 mm)、低温度系数(约−1.5 mV/°C)、快速响应(纳秒级),且符合AEC-Q200车规标准(部分批次),兼顾工业与汽车应用要求。不适用于大电流稳压或高频开关场景。
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