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  • 型号: HVU202BTRU-E
  • 制造商: RNS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HVU202BTRU-E由RNS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HVU202BTRU-E价格参考。RNSHVU202BTRU-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HVU202BTRU-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HVU202BTRU-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HVU202BTRU-E 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的高性能硅基超突变结可变电容二极管(Varactor Diode),专为高频调谐应用优化。其典型应用场景包括:

1. 电压控制振荡器(VCO):广泛用于无线通信系统(如5G射频前端、Wi-Fi 6/6E、蓝牙模块)中,通过调节反向偏压实现频率精细调谐,具备高Q值(>100 @ 2.4 GHz)和低相位噪声特性。

2. 自动频率控制(AFC)与锁相环(PLL)回路:在基站收发信机、卫星通信终端及智能电表RF模块中,作为压控调谐元件,提升频率稳定性和锁定速度。

3. 射频滤波器调谐:用于可重构带通/带阻滤波器,支持多频段动态切换(如Sub-6 GHz与毫米波协同系统),增强抗干扰能力。

4. 车载雷达与ADAS系统:满足AEC-Q200可靠性认证,适用于77 GHz汽车雷达的本振(LO)调谐电路,具备宽调谐范围(C = 2.0–4.5 pF,VR = 1–20 V)和优异温度稳定性(-40°C 至 +125°C)。

该器件采用超小型SC-79(SOD-523)封装,尺寸仅1.2×0.8×0.6 mm,适合高密度PCB布局;无铅、符合RoHS标准,支持回流焊工艺。其低串联电阻(RS < 1.2 Ω)与高击穿电压(VRM = 20 V)保障了在高功率射频环境下的长期可靠性。
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