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- 型号： HVB190STR-E
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HVB190STR-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HVB190STR-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHVB190STR-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HVB190STR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HVB190STR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HVB190STR-E 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的高压、超快恢复整流二极管，采用SOT-223封装，具有190V反向重复峰值电压（VRRM）、1A平均整流电流（IF(AV)）及典型35ns超快恢复时间。其主要应用场景包括： - 开关电源（SMPS）次级整流：适用于AC-DC适配器、LED驱动电源、工业电源等中低功率场合，快速恢复特性可降低开关损耗与EMI，提升效率。 - 高频DC-DC转换器：在隔离式或非隔离式Buck、Flyback等拓扑中，作为输出整流器件，支持高频（数十kHz至数百kHz）工作，减小磁性元件体积。 - 电池充电电路：用于便携设备或工业电池管理系统中的防反接保护与充电路径整流，具备良好热稳定性和可靠性。 - 逆变器与电机驱动辅助电源：在IGBT/MOSFET栅极驱动电源或控制电路供电模块中，提供紧凑、可靠的高压整流功能。 该器件内置软恢复特性，反向恢复电荷（Qrr）低，有助于减少电压尖峰和振铃，适合对能效与电磁兼容性要求较高的应用。需注意其SOT-223封装散热能力有限，建议合理布局PCB铜箔并控制环境温度。
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