Datasheet下载- 型号： HUFA76619D3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA76619D3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA76619D3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA76619D3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA76619D3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA76619D3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 HUFA76619D3ST 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具备 600 V 耐压、11 A 连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（Rds(on) 典型值 0.45 Ω）及快速开关特性。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：广泛用于 AC-DC 适配器、PC 电源、LED 驱动电源中的主开关管或 PFC（功率因数校正）升压开关； - 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）控制器、家电（如空调压缩机、洗衣机驱动）中的逆变桥上管； - 工业控制与照明：用于固态继电器（SSR）、智能电表负载开关、高效率 LED 恒流驱动电路； - UPS 及逆变系统：在后备式/在线式不间断电源中承担 DC-AC 逆变级的高频开关功能。 该器件具备雪崩耐受能力（UIS），可靠性高，适合中等功率、中高频（数十kHz 至百kHz）硬开关应用。需注意合理设计栅极驱动（推荐 10–15 V 驱动电压）、散热（须配合适当散热器）及 PCB 布局以抑制 EMI 和电压尖峰。不适用于同步整流或极高频（>500 kHz）软开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA76619D3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 767pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 18A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
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