Datasheet下载- 型号： HUFA76404DK8T
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA76404DK8T由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA76404DK8T价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA76404DK8T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA76404DK8T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA76404DK8T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUFA76404DK8T 是安森美（ON Semiconductor）推出的双N沟道增强型功率MOSFET阵列，采用8引脚SOIC封装，内置两个匹配的高压、高电流MOSFET（VDSS = 60 V，ID = 50 A，RDS(on) 典型值仅12.5 mΩ @ VGS = 10 V）。其集成化设计与低导通损耗、良好热性能及驱动兼容性，使其适用于空间受限、需双路同步/互补开关的中高功率场景。 典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：如双相降压（Buck）转换器、同步整流模块，用于服务器电源、通信电源或工业电源，提升效率并减小磁件体积； - 电机驱动：H桥驱动中的上/下半桥开关（需外置驱动逻辑），适用于小型直流无刷电机（BLDC）或步进电机控制（如打印机、自动化设备）； - 负载开关与电源分配：双路独立电源轨的智能启停控制（如FPGA供电域管理、热插拔保护）； - 逆变器与半桥拓扑：在低频/中频（≤100 kHz）逆变应用中作为功率级核心器件，例如UPS、LED驱动电源或光伏微逆变器辅助电路。 注意：该器件不带内置续流二极管（体二极管可用但非优化），高频硬开关时需关注米勒效应与栅极驱动强度；实际应用中建议配合合适的栅极驱动IC（如NCV8402）及PCB散热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 62V 3.2A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA76404DK8T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.9nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 3.6A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 62V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A |
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