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产品简介:
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ON Semiconductor 的 HUFA75344S3S 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具有低导通电阻(Rds(on) 典型值约 0.018 Ω @ Vgs=10V)、高电流能力(ID=60A)及良好的热稳定性。其主要应用场景包括: - 开关电源(SMPS):广泛用于 AC-DC 适配器、PC 电源、服务器 PSU 中的同步整流与主开关管,提升转换效率; - DC-DC 转换器:在车载充电机(OBC)、工业电源模块中作为降压(Buck)或升压(Boost)电路的功率开关; - 电机驱动:适用于中小功率直流无刷电机(BLDC)和步进电机的 H 桥驱动单元,支持高频 PWM 控制; - 电池管理系统(BMS):用作电池保护电路中的充/放电主控开关或均衡开关,具备过流与短路耐受能力; - 照明电子:LED 恒流驱动电源中作为调光开关或功率调节器件。 该器件具备雪崩额定能力(UIS),增强了系统鲁棒性;100% 经过 UIS 测试,并支持逻辑电平驱动(Vgs(th) 2–4V),可直接由微控制器或驱动 IC 驱动,简化外围设计。适用于对效率、可靠性和成本敏感的中高功率工业与消费类应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75344S3S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 210nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 75A,10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 285W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |