Datasheet下载- 型号： HUFA75321S3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA75321S3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA75321S3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA75321S3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA75321S3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA75321S3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 HUFA75321S3ST 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具备 500V 耐压、1.8A 连续漏极电流（ID）及典型导通电阻 Rds(on) ≈ 3.2Ω（Vgs=10V）。其设计兼顾高电压隔离与中等功率开关能力，适用于对成本、可靠性及散热有要求的工业与消费类电源应用。 典型应用场景包括： - 离线式开关电源（SMPS）：如 AC-DC 适配器、LED 驱动电源中的初级侧开关（需配合反激或降压-升压拓扑），在中小功率（<30W）场合提供高效、稳定的高频开关； - 电机控制电路：用于小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的驱动级，或风扇、水泵等家电中继电器替代方案； - 电源管理模块：如电池充电器、UPS 后备电源中的 DC/DC 变换、负载开关或过压保护电路； - 工业控制设备：PLC 输入/输出模块、传感器供电电路、电磁阀驱动等中低频（≤100kHz）开关应用。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS rated），适合存在感性负载或电压尖峰的工况；但因其 Rds(on) 相对较高，不适用于大电流或高效率要求严苛的场景（如大功率 LED 或服务器电源）。建议搭配合适栅极驱动与散热设计以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75321S3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 680pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 34 毫欧 @ 35A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 93W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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