Datasheet下载- 型号： HUFA75309P3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA75309P3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA75309P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA75309P3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA75309P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA75309P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 HUFA75309P3 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，采用 TO-247 封装，具有 500V 耐压、12A 连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（Rds(on) 典型值 0.38Ω）及快速开关特性。其主要应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：适用于 AC-DC 适配器、PC 电源、工业电源中的主开关管或 PFC（功率因数校正）升压开关，凭借高耐压与较低导通损耗，提升效率与可靠性。 - 电机驱动：用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或有刷电机的 H 桥/半桥驱动电路，尤其适用于家电（如空调压缩机、洗衣机驱动）、电动工具等需中高压、中电流切换的场合。 - 照明电子镇流器与LED 驱动：在高频、高效率 LED 恒流驱动电源或 HID 灯电子镇流器中，作为主控开关器件。 - 逆变器与UPS系统：适用于小功率离网逆变器、不间断电源（UPS）的 DC-AC 逆变级，支持硬开关与部分软开关拓扑。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS rated），适合存在感性负载或电压尖峰的应用环境；同时其栅极电荷适中，利于驱动设计。需注意散热管理（TO-247 封装需配合适当散热器），并建议配合栅极驱动保护电路以确保长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75309P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 19A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Tc） |
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