Datasheet下载- 型号： HUFA75309D3S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUFA75309D3S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUFA75309D3S价格参考。Fairchild SemiconductorHUFA75309D3S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUFA75309D3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUFA75309D3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 HUFA75309D3S 是一款高压、高功率 N 沟道增强型 MOSFET（单管），采用 TO-247 封装，具有 600 V 耐压、14 A 连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（Rds(on) 典型值 0.3 Ω）及快速开关特性。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：适用于 AC-DC 适配器、PC 电源、工业电源中的主开关管或PFC（功率因数校正）升压开关； - 电机驱动：用于中小功率永磁同步电机（PMSM）或无刷直流电机（BLDC）的逆变桥臂，尤其适合家电（如变频空调压缩机、洗衣机驱动）和工业风机/泵类负载； - 照明电子镇流器与LED驱动：在高频、高效率的隔离式/非隔离式 LED 驱动电路中作为主控开关； - 不间断电源（UPS）与太阳能逆变器：在 DC-AC 逆变环节承担高频斩波任务，兼顾效率与可靠性； - 电磁加热（IH）与感应加热设备：满足高频谐振工作需求，支持硬开关或准谐振模式。 该器件具备雪崩耐受能力（UIS rated），内置体二极管反向恢复特性优化，适合中高频（数十kHz至百kHz级）硬开关应用，且通过 AEC-Q101 认证（部分批次），亦可用于汽车电子辅助系统（如车载充电模块）。需注意其栅极驱动电压推荐为 10–15 V，须配合合理驱动设计以确保可靠开通与抗干扰能力。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 19A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUFA75309D3S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 19A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Tc） |
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