Datasheet下载- 型号： HUF76609D3S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76609D3S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76609D3S价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76609D3S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF76609D3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76609D3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76609D3S 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值为0.018Ω @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=75A）和快速开关特性。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，支持高频PWM调速； - 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、打印机、POS终端等设备中用作高效、低损耗的主电源开关或热插拔保护； - 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电回路的保护开关，配合过流/短路检测电路实现可靠控制； - LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动或调光电路中作为开关器件，支持高频率、低损耗工作。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated），增强了系统鲁棒性；符合RoHS标准，适合自动化贴片生产。需注意合理设计栅极驱动（推荐Vgs=10V以确保充分导通）及PCB散热布局，以发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF76609D3S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 425pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 49W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
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