Datasheet下载- 型号： HUF76419D3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76419D3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76419D3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76419D3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF76419D3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76419D3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76419D3 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 0.019 Ω @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 75 A）和优良的开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于中大功率开关电源（如服务器电源、通信电源）中的同步整流或主开关管，提升效率并降低温升。 - 电机驱动：适用于工业/家电类中小功率BLDC或有刷直流电机控制器，承担H桥或半桥中的高侧/低侧开关功能。 - 负载开关与电源管理：在板级电源分配系统（如热插拔电路、电子保险丝）中实现快速通断控制与过流保护。 - 逆变器与UPS系统：作为DC-AC变换环节的功率开关元件，适用于工频或高频逆变拓扑。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated），具备一定抗冲击能力；同时支持10 V标准逻辑电平驱动（兼容TTL/CMOS），简化驱动设计。需注意其栅极阈值电压（VGS(th) ≈ 2–4 V）较低，应用中应避免噪声误触发，建议配合合适栅极驱动及负压关断设计以提升可靠性。 综上，HUF76419D3适用于对效率、电流密度和鲁棒性要求较高的中高功率开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 20A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF76419D3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 37 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
推荐商品
_renders/IS45S16100H-7BLA1.jpg)
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
HUF76419D3 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商