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  • 型号: HUF76121D3ST
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76121D3ST由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76121D3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76121D3ST封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HUF76121D3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF76121D3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HUF76121D3ST 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用DPAK(TO-252)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值约0.028Ω @ Vgs=10V)、高电流能力(ID=48A)及优良的开关特性。其典型应用场景包括:

• 开关电源(SMPS):用作同步整流管或主开关管,提升DC-DC转换器(如Buck、Boost拓扑)效率;  
• 电机驱动:适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动电路中的上/下桥臂开关;  
• 负载开关与电源管理:在笔记本电脑、工业控制板、LED驱动等系统中实现负载通断控制、热插拔保护及电池充放电路径管理;  
• 汽车电子辅助系统:满足AEC-Q101可靠性标准(注:该型号为标准工业级,非车规版;实际车载应用需确认具体批次是否通过车规认证),可用于车身控制模块(BCM)、风扇控制、LED照明驱动等;  
• 逆变器与电源保护电路:配合驱动IC用于UPS、变频器前端或过流/短路保护开关。

其DPAK封装兼顾散热性与PCB空间,适合中等功率(数十瓦级)、中高频(≤100kHz)开关场景。设计时需注意栅极驱动电压匹配(推荐10V驱动以确保充分导通)、PCB铜箔散热设计及SOA(安全工作区)限制,避免雪崩击穿或热失效。
产品参数 图文手册 常见问题
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