Datasheet下载- 型号： HUF76009D3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76009D3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76009D3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76009D3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF76009D3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76009D3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76009D3ST 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅12 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=42A）和快速开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于服务器、通信设备及工业电源中的高效、高密度电源模块； - 电机驱动：适用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路，提供可靠开关与较低功耗； - 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、打印机、POS终端等设备中，用作主板或外设供电的智能负载开关，支持过流保护与热关断功能； - LED驱动与照明控制：用于PWM调光电路中的高速开关，实现高效恒流驱动； - 汽车电子辅助系统：满足AEC-Q101可靠性标准（该型号为工业级，非车规，但部分设计可拓展至车身控制类非安全相关应用，如座椅调节、风扇控制等）。 其优化的体二极管反向恢复特性（trr < 60 ns）有助于降低开关损耗与EMI，适合高频（100 kHz–1 MHz）工作环境。需注意：实际应用中应合理设计栅极驱动（推荐Vgs ≥ 8V以确保充分导通）、PCB散热（建议大面积铜箔+过孔散热）及SOA（安全工作区）保护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 20A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF76009D3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 470pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 41W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
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