图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： HUF75939S3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75939S3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75939S3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75939S3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75939S3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75939S3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75939S3ST 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 0.008 Ω @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 75 A）和优良的开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：常用于大电流同步整流BUCK转换器中作为主开关管或续流开关，提升效率并降低温升； - 电机驱动电路：适用于中小功率直流电机、步进电机或风扇驱动模块，支持PWM调速与快速关断； - 电源管理与负载开关：在工业电源、服务器电源、通信设备中用作高效负载切换或热插拔保护开关； - 逆变器与UPS系统：在离线式不间断电源或小型逆变器中承担高频开关任务（需配合驱动IC及散热设计）； - 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电回路的主控开关，实现过流/短路保护功能。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated），增强了系统鲁棒性；但实际应用中需注意栅极驱动电压匹配（推荐VGS = 10 V）、PCB布局散热（建议大面积铜箔+散热片）及防止寄生振荡（添加栅极电阻）。不适用于高频射频或线性稳压等对开关速度或线性区精度要求极高的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
HUF75939S3ST 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商