Datasheet下载- 型号： HUF75617D3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75617D3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75617D3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75617D3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75617D3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75617D3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75617D3 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约0.018Ω @ Vgs=10V）、高电流能力（ID连续达75A）及优良的开关特性。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于开关电源（SMPS）、同步整流、POL（负载点）转换器等，提升效率并减小散热需求； - 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机及BLDC电机的H桥或半桥驱动电路，支持高频PWM控制； - 电池管理系统（BMS）：用作充放电保护开关、电池隔离或负载开关，凭借低Rds(on)降低功耗与温升； - 工业控制与电源模块：如PLC输出驱动、LED恒流驱动、逆变器辅助开关等中高功率场合； - 汽车电子（符合AEC-Q101可靠性标准）：可用于车载DC/DC变换器、车身控制模块（BCM）、座椅/车窗驱动等非安全关键系统。 该器件具备雪崩耐量（UIS）和良好的热稳定性，适合在中等频率（数十kHz至百kHz级）下高效工作，兼顾性能与成本，是工业与汽车后装领域高可靠性功率开关的常用选型之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 16A TO-251AA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF75617D3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 16A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 功率-最大值 | 64W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Tc） |
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