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产品简介:
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HUF75343G3 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅12mΩ @ Vgs=10V)、高电流能力(ID=75A)和快速开关特性。其主要应用场景包括: 1. DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流、降压(Buck)转换器主开关或续流开关,提升效率并减小热损耗。 2. 电机驱动:适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动电路,可高效控制启停与方向,常见于电动工具、家电(如吸尘器、风扇)及自动化设备。 3. 负载开关与电源管理:在板级电源分配中用作热插拔保护、电池供电系统中的电子保险丝或背光LED驱动的高压侧/低压侧开关。 4. 逆变器与UPS系统:作为单相逆变输出级的功率开关,配合驱动IC实现正弦波或方波输出。 该器件具备雪崩耐量(UIS rated),增强了系统鲁棒性;且符合RoHS标准,适合工业级可靠性要求的应用。需注意合理设计栅极驱动(避免振荡)、配备足够散热(如加装散热片)及输入/输出端RC缓冲以抑制电压尖峰。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | HUF75343G3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 205nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 75A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 270W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 150 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |