Datasheet下载- 型号： HSMS-282K-TR1G
- 制造商： Avago Technologies
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HSMS-282K-TR1G由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HSMS-282K-TR1G价格参考。Avago TechnologiesHSMS-282K-TR1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HSMS-282K-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HSMS-282K-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Broadcom Limited的型号HSMS-282K-TR1G是一种射频二极管，属于肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode）类别。这种二极管具有低正向电压降、快速开关速度和高频率性能，因此在射频和微波应用中表现出色。以下是其主要应用场景： 1. 射频开关：HSMS-282K-TR1G常用于射频信号的切换，适用于无线通信设备中的天线开关和收发器开关。其快速开关特性和低电容特性使其能够高效地处理高频信号。 2. 检波与混频：该二极管可用于射频信号的检波和混频电路中，例如在接收机中将高频信号转换为低频或直流信号。其非线性特性有助于实现混频功能。 3. 保护电路：在射频模块中，该二极管可以用作ESD（静电放电）保护器件，防止敏感电子元件因静电损坏。它还可用作瞬态电压抑制器，保护电路免受过压冲击。 4. 功率检测：通过利用二极管的非线性特性，可以设计功率检测电路，用于测量射频信号的功率水平，广泛应用于无线通信和雷达系统中。 5. 倍频器：在需要生成更高频率信号的场合，该二极管可作为倍频器的核心元件，通过非线性调制产生谐波频率。 6. 低噪声放大器（LNA）保护：在射频前端电路中，该二极管可以用作保护器件，防止输入信号过大而损坏低噪声放大器。 综上所述，HSMS-282K-TR1G适用于各种射频和微波领域的高性能应用，包括无线通信、雷达系统、卫星通信和测试测量设备等。其优异的频率响应和可靠性使其成为这些领域的重要组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY RF 1A SOT-363肖特基二极管与整流器 15 VBR 1 pF |
| 产品分类 | RF 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | Avago Technologies |
| 产品手册 | http://www.avagotech.com/search/results.jsp?src=&siteCriteria=HSMS282K |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Avago Technologies HSMS-282K-TR1G- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1320EN |
| 产品型号 | HSMS-282K-TR1G |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| 不同 If、F时的电阻 | 12 欧姆 @ 5mA，1MHz |
| 不同 Vr、F时的电容 | 1pF @ 0V，1MHz |
| 二极管类型 | 肖特基 - 1 对隔离式 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | 516-2845-1 |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Avago Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 峰值反向电压 | 15 V |
| 工作温度范围 | + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 0.1 uA at 1 V |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 340 mV |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 电压-峰值反向（最大值） | 15V |
| 电流-最大值 | 1A |
| 配置 | Dual Parallel |
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