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  • 型号: HN58V256ATI12E
  • 制造商: RENESAS ELECTRONICS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HN58V256ATI12E由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN58V256ATI12E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHN58V256ATI12E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HN58V256ATI12E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HN58V256ATI12E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HN58V256ATI12E 是一款由 Hitachi(日立)(后存储业务并入瑞萨电子 Renesas)生产的 256K×8 位(即256KB)CMOS 静态RAM(SRAM),采用 DIP-28 封装,工作电压为5V,访问时间12ns(“12E”中的“12”即代表12ns),工业级温度范围(–40°C 至 +85°C,“I”表示工业级,“E”常指无铅环保封装)。

其典型应用场景包括:  
✅ 工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、数控机床、人机界面(HMI)等需高速、可靠、非易失性缓存的嵌入式系统;  
✅ 通信设备:早期程控交换机、网络接口卡(NIC)、协议转换器中用作数据缓冲或临时帧存储;  
✅ 仪器仪表与医疗设备:示波器、数据采集系统、便携式诊断仪等对读写速度和稳定性要求高的场景;  
✅ 军工与航空航天(工业级版本):在宽温、抗干扰要求严苛的环境中提供确定性低延迟访问;  
✅ 老式计算机/工控主板扩展内存:作为CPU(如Z80、8086/8088)的高速片外RAM,用于提升实时处理性能。

需注意:该芯片为异步SRAM,不带内置刷新电路,无需时钟,但需外部地址锁存与控制信号(CE#、OE#、WE#)。因容量小、功耗相对高、已停产多年,现多用于设备维修、备件替换或遗留系统维护,新设计中通常被更高速、低功耗、大容量的PSRAM或DDR SDRAM替代。
产品参数 图文手册 常见问题
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