Datasheet下载- 型号： HN1D03FTE85LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HN1D03FTE85LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN1D03FTE85LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.HN1D03FTE85LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HN1D03FTE85LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HN1D03FTE85LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为HN1D03FTE85LF的二极管整流器阵列，由Toshiba Semiconductor and Storage生产，主要应用于需要高效、稳定整流功能的电子设备中。该器件属于双二极管封装结构，具有低正向压降、高开关速度等特点，适合用于电源管理、DC/DC转换器、反向电压保护电路以及各类便携式电子设备中。 该器件常用于通信设备、笔记本电脑、数码相机、移动电源等消费类电子产品中，用于提高电源转换效率和电路稳定性。此外，HN1D03FTE85LF也可用于汽车电子系统、工业控制系统和小型家电中，提供可靠的整流和保护功能。由于其采用小型表面贴装封装，适用于高密度PCB布局，有利于缩小产品体积并提升整体可靠性。 该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅生产工艺，广泛应用于现代电子制造领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SW 80V 100MA SM6二极管 - 通用，功率，开关 Switching Diode 4 Circuit 0.1A 80V |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1D03F |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,二极管 - 通用，功率，开关,Toshiba HN1D03FTE85LF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | HN1D03FTE85LFHN1D03FTE85LF |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 80V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 二极管配置 | 2 对 CA + CC |
| 产品 | Switching Diodes |
| 产品种类 | 二极管 - 通用，功率，开关 |
| 供应商器件封装 | SC-74 |
| 其它名称 | HN1D03FTE85LFDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | 4ns |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SOT-26-6 |
| 峰值反向电压 | 85 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 开关配置 | Single |
| 恢复时间 | 1.6 ns |
| 最大二极管电容 | 4 pF |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 0.5 uA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.92 V |
| 正向连续电流 | 100 mA |
| 热阻 | - |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 80V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 100mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 配置 | Dual |
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