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- 型号： HMC373LP3E
- 制造商： Hittite
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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HMC373LP3E产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HMC373LP3E由Hittite设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HMC373LP3E价格参考。HittiteHMC373LP3E封装/规格：RF 放大器， 射频放大器 IC CDMA，GSM，EDGE，W-CDMA 700MHz ~ 1GHz 。您可以下载HMC373LP3E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HMC373LP3E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HMC373LP3E 是 Analog Devices Inc.（ADI）旗下的一款高性能射频（RF）放大器，属于低噪声放大器（LNA）类别。该器件广泛应用于需要高增益、低噪声和良好线性度的射频系统中。 其主要应用场景包括： 1. 通信系统：用于无线基站、微波通信、卫星通信等系统中的接收链路，作为前端低噪声放大器，提高接收灵敏度。 2. 测试与测量设备：在频谱分析仪、信号发生器等仪器中，用于放大微弱信号，以确保测量精度和动态范围。 3. 雷达系统：适用于民用和军用雷达接收机前端，用于增强回波信号强度，提升探测距离和精度。 4. 工业控制与监测：在远程无线监测系统中，用于增强传感器信号的传输距离和稳定性。 5. 医疗成像设备：如MRI（磁共振成像）系统中的射频接收模块，对微弱信号进行放大处理。 HMC373LP3E 采用 GaAs（砷化镓）工艺制造，具备良好的高频性能，工作频率覆盖范围广，适合 2GHz 至 18GHz 的应用频段，具备高增益、低噪声系数和良好的输入输出驻波比（VSWR），适合高性能射频前端设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC MMIC AMP LNA HI IP3 16-QFN |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Hittite Microwave Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| P1dB | 20dBm |
| 产品型号 | HMC373LP3E |
| RF类型 | CDMA，GSM，EDGE，W-CDMA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 16-QFN（3x3） |
| 其它名称 | 1127-1350 |
| 包装 | 剪带 |
| 噪声系数 | 0.9dB |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 50 |
| 测试频率 | - |
| 电压-电源 | 5V |
| 电流-电源 | 90mA |
| 频率 | 700MHz ~ 1GHz |
