图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HM3-7610-5由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HM3-7610-5价格参考。HarrisHM3-7610-5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HM3-7610-5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HM3-7610-5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HM3-7610-5 是 Harris Corporation(哈里斯公司)于20世纪70年代推出的一款双极型高速静态随机存取存储器(SRAM),容量为1K × 4位(即1024字,每字4位),存取时间典型值为5 ns,采用双列直插封装(DIP)。该器件属于早期高性能军用/工业级存储器,设计用于对速度、可靠性和温度稳定性要求严苛的场景。 其主要应用场景包括: 1. 军用与航天电子系统:如火控计算机、雷达信号处理单元、导弹制导控制器等,得益于其宽温工作范围(-55℃~+125℃)、抗辐射加固设计及高可靠性; 2. 高端工业控制设备:如实时过程控制器、测试测量仪器(示波器、逻辑分析仪)中的高速缓存或寄存器堆; 3. 早期小型机与专用计算机:作为CPU的高速暂存器、指令缓冲区或微码存储器,弥补当时主存(如磁芯存储器)速度不足; 4. 通信设备:在程控交换机或加密设备中承担关键数据暂存与协议处理任务。 需注意:该型号已于1980年代后期停产,属历史器件,现仅见于老旧装备维护、军工备件替换或收藏研究。现代应用中已被CMOS工艺的高速SRAM(如ISSI、Cypress产品)全面替代。