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产品简介:
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HIP6603BCB 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的高性能同步整流降压控制器(属PMIC - 栅极驱动器类别),专为驱动外置N沟道MOSFET而设计。其典型应用场景包括: 1. CPU核心供电(VRM/VRD):广泛用于台式机、服务器及工作站主板的处理器供电模块,支持Intel Pentium III/IV等时代VRM规范,提供精确的电压调节与快速动态响应; 2. 高效率DC-DC转换系统:适用于需要高电流(可达数十安培)、低电压(如1.2V–3.3V)、高开关频率(最高达1MHz)的负载点(POL)电源设计; 3. 通信与网络设备:如路由器、交换机中的FPGA、ASIC或DSP供电,满足严苛的瞬态响应与能效要求; 4. 工业控制与嵌入式系统:在空间受限但需稳定多相供电的工控板卡、PLC模块中,配合外部MOSFET实现灵活、可靠的电源管理。 该芯片集成欠压锁定、过流保护、热关断及可编程软启动等功能,支持多相并联扩展,提升系统功率密度与可靠性。注意:HIP6603BCB 本身是控制器(Controller),需外接高端/低端驱动器及MOSFET,不集成功率器件,因此归类为“栅极驱动器”子类中的“PWM控制器+驱动接口”型产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DRIVER MOSFET SYNC BUCK 8SOIC |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | Intersil |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HIP6603BCB |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C |
| 延迟时间 | - |
| 标准包装 | 98 |
| 电压-电源 | 10.8 V ~ 13.2 V |
| 电流-峰值 | 400mA |
| 输入类型 | PWM |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 高端和低端,同步 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值(自举) | 15V |