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- 型号： HGTP3N60B3
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP3N60B3由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP3N60B3价格参考。HarrisHGTP3N60B3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGTP3N60B3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP3N60B3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGTP3N60B3 是 Harris Corporation（现已被Exar收购，后并入Maxim Integrated，最终归属Analog Devices）推出的一款600V、3A的高速N沟道功率MOSFET（非IGBT），采用TO-220AB封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值1.8Ω）、快速开关特性及内置反并联二极管，适用于中等功率开关应用。 其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、PC电源副边同步整流或辅助电源中的高压侧/低压侧开关； - DC-DC转换器：在工业或通信设备的隔离式或非隔离式降压（Buck）、反激（Flyback）拓扑中作为主开关器件； - 电机驱动控制：用于小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动单元中的单通道开关（需搭配驱动IC及保护电路）； - LED恒流驱动电源：在高效率、高PF（功率因数）的LED路灯或商用照明驱动中作PWM调光开关； - 逆变器与UPS系统：在中小功率离线式不间断电源的DC-AC逆变级中承担高频开关任务（需注意其600V耐压适用于220V AC输入整流后的母线电压场景）。 需注意：该器件为单极型MOSFET（非IGBT），不适用于大电流低频硬开关场景；设计时应重视栅极驱动强度、PCB布局（减少寄生电感）、散热管理及过压/过流保护，以确保可靠运行。
产品参数
图文手册
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