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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP14N0FVLR4600由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP14N0FVLR4600价格参考。HarrisHGTP14N0FVLR4600封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGTP14N0FVLR4600参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTP14N0FVLR4600 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGTP14N0FVLR4600 是安森美(onsemi)推出的高性能高压IGBT(绝缘栅双极型晶体管),属于“晶体管 - IGBT、MOSFET - 单”类别(注:严格而言,该器件为IGBT而非MOSFET,但常被归类于广义功率开关器件下)。其典型参数包括:14A额定电流、600V击穿电压、低导通压降(VCE(sat) ≈ 2.1V @ IC=14A)、快速开关特性及内置续流二极管优化设计。 主要应用场景包括: - 工业变频驱动:用于中小型电机控制(如风机、水泵、压缩机),实现高效调速与节能; - 感应加热设备:在电磁炉、商用加热系统中承担高频(20–50kHz)功率开关任务; - UPS不间断电源:作为逆变级核心开关器件,支持DC-AC高效转换与负载切换; - 光伏逆变器:适用于单相或小功率组串式逆变器的升压/逆变环节; - 电焊机与电源模块:满足高可靠性、高重复峰值电流需求的中功率开关应用。 该器件采用TO-247封装,具备良好热性能与雪崩耐受能力,适用于工作环境温度较高、需长期稳定运行的工业场景。注意:实际选型需结合驱动电路设计、散热条件及系统EMI要求进行综合评估。