【未分类_HGTH12N50CID】封装/厂家_HGTH12N50CID中文资料_价格

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型号： HGTH12N50CID
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTH12N50CID由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTH12N50CID价格参考。HarrisHGTH12N50CID封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTH12N50CID参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTH12N50CID 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTH12N50CID 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的高压高速 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），额定电压 500 V，连续集电极电流 12 A，采用 TO-247 封装，内置快速恢复反并联二极管（“C”后缀代表 Co-Packaged Diode），适用于硬开关与软开关拓扑。

其典型应用场景包括：  
• 工业变频驱动：用于中小功率（约1–3 kW）交流电机驱动器中，实现高效、低噪声的PWM调速控制；  
• 不间断电源（UPS）：在在线式UPS的逆变输出级，承担DC-AC转换，兼顾开关速度与导通损耗；  
• 感应加热设备：在半桥/全桥谐振电路中作为主开关器件，利用其500V耐压与快速关断能力适应高频（20–100 kHz）工作；  
• 光伏并网逆变器：适用于单相或小三相组串式逆变器的升压与逆变环节，满足高效率与高可靠性要求；  
• 开关电源（SMPS）：在大功率（>500 W）PFC+LLC组合拓扑中，用作PFC升压开关，发挥其低导通压降（VCE(sat) ≈ 2.2 V @ IC=12A）与良好短路耐受能力优势。

该器件不适用于超高频（>500 kHz）或极高di/dt场合，但凭借优化的开关参数（典型turn-off time < 100 ns）和鲁棒的SOA特性，在中等频率、中等功率的电力电子变换系统中具有良好的性价比与成熟应用基础。

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