【未分类_HGTH12N40C1D】封装/厂家_HGTH12N40C1D中文资料_价格

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型号： HGTH12N40C1D
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTH12N40C1D由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTH12N40C1D价格参考。HarrisHGTH12N40C1D封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTH12N40C1D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTH12N40C1D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTH12N40C1D 是安森美（onsemi）推出的高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-247封装，额定电压400V、连续漏极电流12A，内置快速软恢复体二极管（“D”后缀标识），具备低导通电阻（Rds(on)典型值0.38Ω）、高开关速度及优异的dv/dt抗扰性。

其典型应用场景包括：  
✅ 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、服务器/通信电源中的PFC（功率因数校正）升压电路和主功率开关级，尤其适合高频（>100kHz）硬开关设计，可提升效率并减小磁性元件体积。  
✅ 不间断电源（UPS）与逆变器：在在线式UPS的DC-AC逆变桥臂中，凭借快速体二极管特性，可有效抑制反向恢复损耗，降低EMI，提升系统可靠性。  
✅ 电机驱动与工业控制：用于中小功率（如<1kW）BLDC或通用电机的三相逆变模块，支持120°或180°方波驱动；其雪崩耐量（UIS）强，可应对感性负载关断时的电压尖峰。  
✅ 照明电子镇流器与LED驱动：在高功率LED恒流驱动或高频荧光灯镇流器中，实现高效、低噪声调光控制。

注意：该器件为单N沟道增强型MOSFET（非IGBT），不适用于低频大电流硬换流场景（如焊机主开关），亦非SiC/GaN器件，故工作频率上限建议≤500kHz。选型时需配合优化栅极驱动（推荐±12–15V驱动电压）及PCB布局以发挥其性能优势。

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