【未分类_HGTG34N100E2】封装/厂家_HGTG34N100E2中文资料_价格

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型号： HGTG34N100E2
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG34N100E2由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG34N100E2价格参考。HarrisHGTG34N100E2封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTG34N100E2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTG34N100E2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTG34N100E2 是 Harris Corporation（现已被安森美半导体 ON Semiconductor 收购）推出的一款高性能高压IGBT（绝缘栅双极型晶体管），属于单管封装（TO-247），额定电压1000V，连续集电极电流34A，具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 2.2V @ IC=34A）、快速开关特性及内置反并联快恢复二极管。

其典型应用场景包括：  
• 工业变频驱动：用于中大功率交流电机控制（如泵、风机、压缩机），满足高效调速与节能需求；  
• 不间断电源（UPS）：作为逆变级核心开关器件，支撑1–5kVA在线式UPS的DC-AC转换，兼顾效率与可靠性；  
• 感应加热设备：适用于高频谐振逆变电路（如串联/并联LLC拓扑），实现金属熔炼、热处理等高功率密度加热；  
• 太阳能光伏逆变器：在中小功率组串式逆变器中用作升压或逆变桥臂，适配1000V直流母线系统；  
• 焊接电源：在IGBT逆变焊机主回路中实现PWM精确控制，提升动态响应与电弧稳定性。

该器件强调鲁棒性设计（含短路耐受能力≥10μs）和温度稳定性，适用于工业级环境（-40°C～+150°C结温）。需配合优化驱动电路（如负压关断、有源米勒钳位）及散热设计以发挥最佳性能。  

（注：Harris半导体业务已于2010年并入ON Semiconductor，当前产品线由ON提供技术支持与供货。）

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