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  • 型号: HGTG20N60B3_NL
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG20N60B3_NL由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG20N60B3_NL价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG20N60B3_NL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGTG20N60B3_NL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTG20N60B3_NL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTG20N60B3_NL 是安森美(ON Semiconductor,原Fairchild Semiconductor)推出的600V、20A高速沟槽栅场截止型IGBT(带反并联快恢复二极管),采用TO-247封装。其典型应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):适用于工业及通信电源中的PFC(功率因数校正)电路和DC-DC主开关,得益于低导通损耗(VCE(sat) ≈ 1.8V @ IC=20A)与快速开关特性(tf ≈ 50ns),可提升效率与功率密度。

2. 电机驱动:广泛用于变频空调、工业变频器、电动工具及小型伺服系统中,作为逆变桥臂开关,兼顾高电压耐受性(600V)与抗短路能力(10μs额定短路耐受时间)。

3. 感应加热与电磁炉:支持高频(20–50kHz)硬开关工作,内置优化的软恢复二极管有效抑制EMI,降低续流振荡与电压尖峰。

4. UPS与光伏逆变器:在中小功率(1–5kW级)离网/并网逆变单元中用作DC-AC转换开关,具备良好的温度稳定性与雪崩耐量(RBSOA保证)。

该器件不适用于超高频(>100kHz)或极高di/dt场景(如激光驱动),亦非纯MOSFET——其IGBT结构决定了其在中高压、中等频率下综合性能更优。设计时需配合合适驱动(如+15V/-5V)、RC缓冲电路及热管理以确保可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
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