【未分类_HGTD7N60C3S】封装/厂家_HGTD7N60C3S中文资料_价格

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型号： HGTD7N60C3S
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTD7N60C3S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTD7N60C3S价格参考。Fairchild SemiconductorHGTD7N60C3S封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTD7N60C3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTD7N60C3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTD7N60C3S 是安森美（ON Semiconductor）推出的600V、7A高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-247封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值0.75Ω）、快速开关特性及内置ESD保护和雪崩耐量设计。其主要应用场景包括：  
1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、服务器/通信电源、LED驱动电源中的PFC（功率因数校正）升压电路及主功率开关；  
2. 工业控制与电机驱动：用于中小功率变频器、风机/泵类调速系统中的逆变桥上管（需配合下管使用）；  
3. 新能源领域：在光伏微逆变器、储能系统DC-DC变换器中承担高频硬开关任务；  
4. 家电与消费电子：如变频空调压缩机驱动、电磁炉谐振功率开关等对效率与温升敏感的场合。  
该器件不适用于大电流续流或低频硬换向场景（因其非IGBT，无寄生双极晶体管结构，不具备IGBT的高电流密度与低饱和压降优势），但凭借优异的dv/dt抗扰性、强雪崩能力（UIS额定值达220mJ）及符合工业级温度范围（-55℃~+150℃），特别适合中高电压、中等电流、高频（数十kHz至数百kHz）的高效节能应用。

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