【未分类_HGTD3N60C3】封装/厂家_HGTD3N60C3中文资料_价格

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型号： HGTD3N60C3
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTD3N60C3由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTD3N60C3价格参考。HarrisHGTD3N60C3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGTD3N60C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTD3N60C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGTD3N60C3 是安森美（ON Semiconductor）推出的600V、3A高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-247封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值0.9Ω）、快速开关特性及优异的dv/dt抗扰能力。其典型应用场景包括：

- 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、PC电源、服务器电源等中功率PFC（功率因数校正）电路和主功率开关级，尤其适合连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrCM）PFC设计。

- LED驱动电源：用于高效率、高可靠性的隔离/非隔离式LED恒流驱动器，满足工业与商业照明对能效及EMI的要求。

- 工业控制与电机驱动：在小功率变频器、风机/泵类电机控制、智能电表电源模块中作为高频开关器件，支持100kHz级工作频率。

- 家电与白色家电：应用于空调压缩机驱动辅助电源、微波炉高压逆变器、洗衣机主控板电源等需耐高压、抗浪涌的场合。

该器件不适用于大电流硬开关IGBT场景（如>10A逆变器主回路），但凭借其优化的体二极管反向恢复特性（Qrr低）和雪崩耐量（UIS额定），在中等功率、高可靠性要求的高频开关应用中表现突出。设计时建议配合优化栅极驱动（如负压关断）以提升系统鲁棒性。

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